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学霸之巅

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第483章 这次我没有拖后腿
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  的突破。

  “这个是离子阱的四级杆阱结构,这种结构可以囚禁住一维离子晶体,电极更容易制作,且具备更高的通光性。它由四根主要的圆柱形电极构成,其中两根作RF电极,两根作为DC电极。根据DC电极是否分段,还可以分为两种结构……”

  “这個是离子阱的刀片阱结构,顾名思义,因为其形状形似刀片,故而得名。我们对其结构进行了如下改进:缩短离子间距,以获得更高的径向量子频率。设置通光孔径,以便在轴向照射激光。改变导线布线的几何结构,从而提升离子阱的热稳定性和通光性……”

  “这个是离子阱的三维芯片阱结构。三维芯片阱的尺寸,介于宏观离子阱和微观离子阱中间,可以被认为是介观离子阱。它具有数十个控制电极,以及更精密的电极结构,能够很好地实现离子链的分离、转移和合并……”

  徐佑认真的听取着王相武的研究成果,并不住的点头。M.qqXsqQxS.cOm

  对于徐佑交代给王相武的工作,王相武完成得非常的认真,甚至已经超出了徐佑对王相武的预期。

  而在这些各种各样的离子阱中,徐佑最为关注的,是一种名为二维芯片阱的离子阱结构。

  相比三维芯片阱,二维芯片阱的性能要差出一些。

  不过由于二维芯片阱采用的是微纳加工技术,可以小型化和批量生产,这让这种类型的离子阱,更加适合用于小型量子计算机当中。

  “王老师,我觉得我们今后的研究,可以以二维芯片阱为主了。接下来的时间里,我们需要尽可能的完善二维芯片阱的设计理念与加工方法,并优化二维芯片阱的结构。”

  “是的,在之前的研究中,我也觉得二维芯片阱是最适合用于我们的这个项目中的。因此在我们的研究中,二维芯片阱是我们最得做多的一个分支。”

  说着,王相武拿出了一些更详细的实验数据,向徐佑
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